Adafruit MOSFET de potencia de canal N

Cuando se necesita conmutar mucha potencia, los MOSFET de canal N ofrecen un rendimiento excepcional. Estos FET pueden manejar más de 60 A y 30 V, alojados en encapsulados TO-220 para una fácil integración en cualquier placa de pruebas o placa perforada. Su diseño garantiza una disipación térmica eficiente, incluso con cargas elevadas.

Con una Rds(on) extremadamente baja, de tan solo 0,009 ohmios, estos MOSFET pueden funcionar sin disipador térmico para cargas elevadas. El voltaje umbral es inferior a 2,5 V, lo que permite el control directo mediante microcontroladores que operan con lógica de 2,8 V, 3,3 V o 5 V. El encapsulado TO-220 puede disipar hasta 2 vatios sin disipador térmico adicional a temperatura ambiente.

Con un Rds de tan solo 9 miliohmios, admiten conmutación de al menos 15 amperios sin disipador, e incluso más con PWM. Para cálculos precisos, se recomienda consultar materiales de referencia.