MOSFET de canal N de 55 V y 30 A

El MOSFET de canal N de 55 V y 30 A es un componente versátil y eficiente diseñado para controlar dispositivos de alta potencia con un consumo mínimo de energía. Con una baja resistencia de encendido y un voltaje de control compatible con cualquier microcontrolador o interruptor mecánico de 3 a 5 V, se integra perfectamente en varios proyectos electrónicos.

Perfecto para aplicaciones que requieren un control de potencia eficiente, este MOSFET puede manejar hasta 30 A de corriente continua a 25 °C, lo que lo hace ideal para accionar motores, LED y otros dispositivos de alta potencia. Su baja carga de compuerta garantiza velocidades de conmutación rápidas, lo que mejora el rendimiento de sus circuitos.

El diseño robusto admite un amplio rango de temperaturas de funcionamiento, desde -55 °C hasta 175 °C, lo que garantiza un rendimiento confiable en diversos entornos. Con un voltaje máximo de drenaje a fuente de 55 V y una capacidad de disipación de energía de hasta 68 W, ofrece una durabilidad y eficiencia excepcionales.

Las características principales incluyen un FET de tipo canal N, un voltaje de compuerta-fuente máximo de ±16 V y una capacitancia de entrada de 880 pF a 25 V. La Rds On (máx.) del MOSFET es de 35 mOhm a 16 A y 10 V, lo que garantiza una pérdida mínima de potencia durante el funcionamiento.

Para obtener especificaciones detalladas, consulte la hoja de datos proporcionada.